Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0205U000136, 0103U006711 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка лазерних методів одержання низькорозмірних структур кремнію та дослідження їх випромінюючих властивостей з метою створення елементів кремнієвої оптоелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Манойлов Е. Г., Дата реєстрації 17-01-2005 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Створено нові низькорозмірні композитні наноструктури з перебудованою енергетичною структурою на основі квантоворозмірних нанокристалів кремнію. Встановлено закономірності фотолюмінесценції (ФЛ) у видимій області спектру при кімнатній температурі плівок нанокристалічного кремнію (nc-Si), що сформовані методом імпульсного лазерного осадження. Відпрацьовано технологічні рекомендації для формування nc-Si плівок з інтенсивною і стабільною ФЛ. На основі nc-Si плівок створено експериментальні зразки гетероструктур для фотоприймальних та електролюмінесцентних пристроїв, встановлено механізми струмопроходження в цих структурах. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити