Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0205U000371, 0102U002249 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-хімічні умови формування діодів Шотткі на основі вузькощілинних напівпровідників Назва етапу роботи Керівник роботи Величко С.П., Дата реєстрації 26-01-2005 Організація виконавець Кіровоградський державний педагогічний університет імені Володимира Винниченка Опис етапу Мета роботи: розробка технології виготовлення фотодіодів Шотткі з тонким проміжним тунельно-прозорим діелектричним шаром окислу для діапізону довжин хвиль 9-28 мкм на основі малонапружених епітаксійних шарів чотирьохкомпонентних твердих розчинів Pb1-xSnxTe1-ySey, узгоджених за параметром кристалічної решітки з напівпровідниковими та діелектричними підкладками методами рідинної епітаксії та термічного вакуумного напилення. Вдосконалення якості омічних та випрямляючих контактів наближає реальну чутливість фотоприймачів до теоретичної, збільшує терміни роботи приладів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити