Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0205U000532, 0102U000331 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив неоднорідно-деформованої поверхні напівпровідника на властивості контакту поверхнево-бар'єрних структур Шотткі Назва етапу роботи Керівник роботи Пелещак Р.М., Дата реєстрації 31-01-2005 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Запропоновано модель опису кристалічної структури метал-деформований напівпровідник та перерозподілу точкових дефектів у електричному полі, створеному контактною різницею потенціалів.Встановлено, що в приконтактній області напівпровідника деформаційні ефекти підсилюють процес електродифузійного очищення від заряджених донорів типу іонізованих міжвузлових домішок Cdi. Запропоновано метод вирощування монокристалів телуриду кадмію та їх твердих розчинів з газової фази у два незалежні етапи: синтез сполуки і приготування шихти та формування монокристалу. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити