Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0205U004253, 0103U008792 , Науково-дослідна робота Назва роботи Проектування високошвидкісних НВІС у застосуванні до SiGe наноелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 11-03-2005 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Були розроблені нові принципові іонно-імплантаційні технології для шарів SiGe і конструювання надвисокочастотної (2-10 ГГЦ) елементної бази для цифрових та аналогових надвеликих інтегральних схем, зокрема для високочастотних систем звязку Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити