Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0205U006419, 0105U006929 , Науково-дослідна робота Назва роботи ЗБУДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ GaAs ПОВІЛЬНИМИ ЕЛЕКТРОНАМИ Назва етапу роботи Керівник роботи Фейер Віталій Михайлович, Дата реєстрації 02-11-2005 Організація виконавець Інститут електронної фізики Національної академії наук України Опис етапу Методом спектроскопії зворотного розсіювання повільних моноенергетичних електронів досліджено процеси пружного та непружного розсіювання електронів поверхнею n-GaAs(111). Встановлено, що як для енергетичних залежностей інтенсивності пружного розсіювання, так і для спектрів енергетичних втрат характерна багата тонка структура, обумовлена збудженням поверхневих і об'ємних електронних станів та домішкових рівнів дослідженого об'єкту. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити