Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0205U006862, 0103U000381 , Науково-дослідна робота Назва роботи Електрофізичні дослідження тонкоплівкових багатошарових структур на основі широкозонних матеріалів SiC і SiO2 Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко В.С., Назаров О.М.;, Дата реєстрації 21-12-2005 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Встановлено, що імплантація германію з великими дозами в двоокис кремнію із наступним швидким термічним відпалом викликає формування значної концентрації пасток негативного заряду, тоді як імплантація кремнію із подібним відпалом призводить до формування як пасток негативного, так і позитивного заряду. Створено технологічне обладнання і знайдені технологічні режими для осадження тонких стехіометричних плівок a-SiC:H методом реактивного магнетронного розпилення на пластинах діаметром 100мм. Отримані плівки мають люмінесцентні властивості у видимій області спектру. Встановлено, що електронні пастки в межі поділу 4H-n-SіС / SіО2 поблизу краю зони провідності 4H-n-SіС складаються із двох груп центрів захоплення з різними властивостями. Особливості електрофізичних властивостей структур 4H-n-SіС / SіО2 були пояснені за допомогою феноменологичної моделі викиду заряду із просторово локалізованих центрів захоплення в перехідних шарах SіС / SіО2. Показано, що малі дози опромінення призводять в польових транзисторах, що були виготовлені на тонкоплівкових системах кремній-на-ізоляторі (КНІ), до зростання рухомості носіїв як у фронтальному, так і у внутрішньому каналі, а також зменшення щільності поверхневих станів на межі поділу внутрішній діелектрик - кремнієва плівка, що пов'язано із покращенням структурних і електричних властивостей меж поділу кремнієвої плівки з затворним і внутрішнім окислом. Встановлено, що нестандартна поведінка вхідної і вихідної характеристик тонкоплівкового n-канального МОН транзистора на базі UNIBOND КНІ підкладок, що працює в інверсній моді, може бути пояснена високотемпературною зарядовою нестабільністю у внутрішньому діелектрику, Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити