Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0205U006864, 0103U000364 , Науково-дослідна робота Назва роботи Механізми впливу технології отримання і зовнішніх факторів на властивості напівпровідникових структур і функціональних елементів сенсорних систем на їх основі. Назва етапу роботи Керівник роботи Венгер Євген Федорович, Дата реєстрації 21-12-2005 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Звіт по НДР: 460 с., 1 частина та окремий звіт про патентні дослідження, 46 рисунків, 7 Таблиць , 163 посилання. Метою досліджень було вивчення механізмів впливу технології отримання і зовнішніх факторів на властивості напівпровідникових структур і функціональних елементів сенсорних систем на їх основі. Об'єктом досліджень були напівпровідникові матеріали А4 (Si, Ge та сполуки SiC), А3В5 (GaAs, InAs, InSb, AlN), A2B6 (CdTe, CdS, CdSe, ZnS) та потрійні сполуки на їх основі, а також різні функціональні елементи сенсорної електроніки. Для досягнення мети використовувались рентгено-структурний та хімічний аналізи, методи фізичної оптики, акустоелектронні ефекти, люмінесцентна спектроскопія, вивчення фотоелектричних і гальваномагнітних явищ. В ній визначені технологічні умови отримання високоякісних фоточутливих і досконалих шаруватих гетероструктур на основі сполук A2B6 та широкосмугових і селективних сенсорів ультрафіолетового випромінення, описані вдосконалені технології виготовлення гетероструктур, перспективних для створення на їх основі електронних пристроїв сенсорної техніки, представлена фізична модель технологічних процесів хіміко-механічного формоутворення, визначені умови для створення InAs фотодіодів з покращеними параметрами, вивчені електрофізичні властивості матеріалів А4 , А3В5 і A2B6 і структур на їх основі для сенсорів, розроблена технологія вирощування тонких плівок нітриду алюмінію методом магнетронного розпилювання, проведена апробація технологічного устаткування, призначеного для електронно-променевої очистки кристалів Si від залишкових домішок в умовах космічної гравітації і космічного вакууму, досліджені вплив ультразвукової обробки на ультразвукове навантаження на напівпровідникові кристали Ge, Si, CdMnHgTe та структури GeSi/Six , розроблені фізичні основи методу визначення концентрації домішок та дефектів в напівпровідникових матеріалах для сенсорів, проведена їх дослідна перевірка та порівняння з теорією, досліджені сенсори температури. Закладені фізичні основи для створення керованих вузькосмугових джерел випромінювання на середній і дальній інфрачервоний діапазон із застосуванням напівпрозорих резонаторних структур в якості випромінюючого елементу. Проведені дослідження супроводжують детальний патентний пошук з питань, що розглядаються у НДР. Результати НДР можуть бути використані в електронній промисловості для створення різноманітних високоякісних сенсорів. ГЕТЕРОСТРУКТУРИ, НАПІВПРОВІДНИКОВІ СЕНСОРИ, СПОЛУКИ А4 , А3В5 , A2B6, ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІ, ДЕФЕКТИ, УЛЬТРАЗВУК, ДІОД, ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ, ПОВЕРХНЕВО-БАРЄРНІ СТРУКТУРИ, ГАЛЬВАНІ - МАГНІТНІ ЯВИЩА, СПЕКТРАЛЬНА ФОТОЧУТЛИВІСТЬ Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити