Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0205U007027, 0101U007172 , Науково-дослідна робота Назва роботи Іонний та електронний транспорт в іонних провідниках та матеріалах з вузькими електронними зонами провідності Назва етапу роботи Керівник роботи Стасюк Ігор Васильович, Дата реєстрації 08-12-2005 Організація виконавець Інститут фізики конденсованих систем НАН України Опис етапу Проведено повне дослідження перерізів комбінаційного розсіяння світла на електронних збудженнях у сильноскорельованих матеріалах і встановлено визначальний внесок резонансних ефектів у формуванні спектральних профілів розсіяння. Проаналізовано можливість переходу в зарядововпорядковані та надпровідний стани для випадку локально-ангармонічних кристалічних сильноскорельованих електронних систем в рамках псевдоспін-електронної моделі (ПЕМ) з тунельним розщепленням рівнів. Розроблено аналітичний підхід в рамках теорії динамічного середнього поля для розрахунку одночастинкових функцій Гріна асиметричної моделі Хаббарда; отримано спектр локалізованих частинок для моделі Фалікова-Кімбала в границі безмежного відштовхування U для різних концентрацій частинок. Показано наявність феромагнетизму в ПЕМ у наближенні типу сплаву. Запропоновано методи врахування короткосяжних кореляцій в системах з протонною (іонною) провідністю. Розраховано енергетичний спектр одновимірного протонного провідника. Показано, що заповнення протонних зон може мати квазіметалічний або діелектричний характер залежно від значення середньої концентрації. Встановлено можливість розшарування системи на області з різною концентрацією протонів. В рамках мікроскопічної моделі впорядкування протонів на зв'язках виконано дослідження діелектричних властивостей систем типу лад-безлад з складною структурою водневих зв'язків. Модель застосована до кристалу фосфіту гліцину (GPI). Запропонована ПЕМ з врахуванням скорельованого протон-електронного переносу заряду в квазіодновимірних структурах, що містять ланцюжки з водневими зв'язками. Отримано енергетичний спектр моделі. Побудовано фазову діаграму основного стану. Розраховано частотну залежність дійсної частини динамічної провідності. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити