Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0205U007139, 0103U000197 , Науково-дослідна робота Назва роботи Оптичні та спектроскопічні дослідження напівпровідникових матеріалів та структур на їх основі. Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 22-12-2005 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Для вивчення впливу розмірних ефектів на фундаментальні фізичні властивості та характеристики нанорозмірних систем актуальним є використання оптичних методів дослідження. У комплексі з мікроскопічними та рентгенівськими даними вони дають інформацію про вплив геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр і особливості процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних, плазмонних та спінових збуджень. Такий комплексний підхід використано в даній роботі. Об'єктами дослідження були одержані методом молекулярно-променевої епітаксії гетероструктури, квантові ями, надгратки та ансамблі квантових точок на основі Ge/Si, CdSe/ZnSe, ZnMnCdSe/ZnSe, AlGaAs/GaAs, SbGaAs/GaAs, InAs/GaAs, InAs/GaSb, InAS/AlSb, InGaP/InGaAs. Вивчались також об'ємні кристали з шаруватою структурою типу BiJ3, PbJ2, Cs3Bi2J9. Встановлено відмінність реального процесу самоіндукованого формування квантових точок Ge/Si та InGaAs/GaAs від модельного механізму Странського-Крастанова, що обумовлено впливом атомної сегрегації та аномально інтенсивної інтердифузії. Доведено, що латеральне упорядкування квантових точок та квантових дротів в багатошарових структурах визначається конкуренцією різних фізичних факторів: анізотропією пружних властивостей шарів, поверхневою дифузією адатомів взаємодією сусідніх наноострівців, взаємодією деформаційних полів. Показано, що взаємодія локалізованих екситонів з LO фононами зростає в наноструктурах А2В6. Вперше зареєстровані та дослідженні кооперативні стани вертикально зв'язаних пар квантових точок. Зареєстровані сильні оптичні нелінійності в системі латерально упорядкованих квантових дротів InGaAs. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити