Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0205U007143, 0103U000361 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні явища в кристалах і низьковимірних структурах сполук А2В6 та елементарних напівпровідників і розробка нових методів одержання цих матеріалів та приладів на їх основі. Назва етапу роботи Керівник роботи ШЕЙНКМАН Моісей Ківович, Дата реєстрації 22-12-2005 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - монокристали ZnO, SiGe, Si, шари Si/SiO2, наноструктури ZnCdSe/ZnSe, гетеротранзистори з SiGe базою. Мета роботи - з'ясування механізмів ряду нових фізичних явищ в кристалах і низьковимірних структурах на основі сполук А2В6 та елементарних напівпровідників, розробка і фізичне обгрунтування технології одержання кристалів кремній-германій з параметрами, які задовольняють потребам сучасної техніки. Методи дослідження - оптичні, люмінесцентні, електричні, фотоелектричні, рентгенівська дифракція, ЕПР, спектроскопія шуму. Встановлено, що домінуючими мілкими донорами в кристалах ZnO є рухливі власні дефекти - атоми міжвузловинного цинку. Встановлено механізм люмінесценції в шарах Si/SiO2 з кремнійовими кристалітами та механізм впливу катіонних вакансій на процеси самоорганізації квантових точок в системах ZnCdSe/ZnSe. Запропонована фізична модель дефекту гратки, який при міграції в кристалі має знижений дифузійний бар'єр у порівняні з бар'єром вакансійного F-центру та вакансії без електронів. Показано, що низькочастотний шум базового струму в КНІ SiGe гетеротранзисторах складається з генераційно-рекомбінаційної компоненти та двох компонент 1/f шуму. Розвинуто методики вирощування оптичного германію і кристалів SiGe із змістом кремнію до 5%. Вперше отримані аналітичні вирази для компонент тензора п'єзоопору першого порядку в кристалах Si n- і р-типу з урахуванням залежності сталої часу розсіювання від деформації. Пропозиції щодо розвитку об'єкта дослідження - вдосконалення технології вирощування монокристалів та структур з квантовими точками; використання в якості сенсорів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити