Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0206U002383, 0103U001932 , Науково-дослідна робота Назва роботи Взаємодія дефектних станів і фотохромізм широкозонних матеріалів Назва етапу роботи Керівник роботи Довгий Ярослав Остапович, Дата реєстрації 15-05-2006 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Визначена структура енергетичних рівнів домішкових і власних дефектів в легованих ванадієм напівізолюючих Cd1-xHgxTe кристалах. На основі спектральної залежності фотодифузійного струму для різних напрямків поширення світла в кристалі встановлена анізотропія V2+ і V3+ центрів в досліджуваних кристалах. Встановлено два механізми іонізації електронів з домішкового іона, показано, що ефективність автоіонізації електронів залежить від положення збудженого станудомішкового центра відносно дна зони провідності. Виявлені фотоіндуковані домішкові центри утворені світлом з енергією приблизно 1,50 еВ. . Запропонована схема енергетичних рівнів домішкових і власних структурних дефектів в кристалах Cd1-xHgxTe:V i CdTe:Ti. Проведені вимірювання нестаціонарного фотоіндукованого струму з використанням лазера неперервної дії з l=1,15 мкм і Р=20 мВт для двох кристалографічних напрямків. Запропонована методика двохкоординатного визначення джерела вібрації з допомогою схрещених контактів на кристалі. Проведено вимірювання спектрів збудження фотопровідності кристалів PbWO4 . В прикрайовій області поглинання виявлено три фотоіонізаційні смуги (310, 330 і 338 нм), інтенсивність яких залежить від структурної досконалості кристалів. Обговорюється природа дефектних центрів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити