Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0206U002686, 0103U001514 , Науково-дослідна робота Назва роботи Механізми формування термоелектричних властивостей у кристалах і тонкоплівкових структурах на основі напівпровідників IV-VI Назва етапу роботи Керівник роботи Рогачова Олена Іванівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 17-02-2006 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу Визначено вплив різних факторів (типу і концентрації легуючої домішки, відхилення від стехіометрії, товщини шарів, матеріалу і температури підкладки, процесів окислення і т.д.) на термоелектричні властивості кристалів, тонких плівок та гетероструктур на основі напівпровідникових сполук IV-VI. Встановлено механізми формування термоелектричних властивостей і видано рекомендації по підвищенню термоелектричної ефективності шляхом легування, відхилення від стехіометрії та оптимізації параметрів тонкоплівкових структур. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити