Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0206U004636, 0103U004996 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні основи технології напівпровідникових структур, їх електронні властивості та прилади на їх основі. Назва етапу роботи Керівник роботи Савчук Андрій Йосипович, Дата реєстрації 06-03-2006 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу На вирощених кристалах з різною шириною забороненої зони створені експериментальні гомо- і гетеропереходи, зокрема метал-напівпровідник та проведені дослідження діодів і фотодіодів Шотткі, як базових для фотоприймачів Х-, - , УФ- та видимих областей спектру. Розроблені технологічні методи вирощування епітаксійних варізонних структур вузькощілинних напівпровідникових твердих розчинах на базі А2В6 сполук з заданим розподілом атомарного складу і ширини забороненої зони по їх товщині. На вирощених варізонних структурах створені фотоелектричні та оптичні елементи (прилади) діючі в ІЧ-області спектру Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити