Реєстраційний номер
0206U004820,
0103U003788
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Дослідження фотоелектричного інжекційно-плазмового підсилення в компенсованих напівпровідниках
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Курмашев Ш.Д.,
Дата реєстрації
20-03-2006
Організація виконавець
Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова. Наукова частина
Опис етапу
Об"єкт дослідження-інжекційні структури на базі викоомних напівпровідників ( Ge, Si, AlGaAs) Мета роботи-розробити концепці фотоелектричного іжекційного підсилення в компенсованих напівпровіниках кціного пдсилення в компенсованих напівпровідниках. Запропоновано фізичні механыіми струмопереносу при безпосередньому впливі світла на рухливыіть носіїв заряду. Фотоелектричні характеристики варизонних та поверхнево-бар"єрних струтур залежать від магнітного поля, тиску. Розроблено лабораторні моделі датчиків світла, магнітного поля, тиску
Опис продукції
Автори роботи
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
