Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0206U004978, 0103U001546 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив електроного стану регулярних та примісних іонів на діелектричні та спектральні властивості широкозонних окиснєвих кристалів Назва етапу роботи Керівник роботи Кулагін Микола Олександрович, Дата реєстрації 11-04-2006 Організація виконавець Харківський національний університет радіоелектроніки Опис етапу Заключний звіт: 66 с., 20 рис., 27 табл., 2 приложения, 83 источников Експеріментальні та теоретичні дослідження взаємозалежністі стехіометрії і діелектричні параметри кристалів з іонами груп заліза і лантана були поведені для деяких окиснєвих моноеристалва, насамперед, на прикладі сапфіра, гранатів та перовскитів. Удосконалення метода дослідження електроного стану іонів в кристалах та метода дослідження стехіометрії кристалів проведення експериментів по дослідженню залежністі стехіометрії від параметрів росту кристалів та розробка теоретичного ab initio метода разрахнку електронної структури при мішкових кристалів і кластерів даии можливість створити реальні моделі примішкових кристалів. Розроблені фізичні моделі електроної структури примісних кристалів та впливу зміни електроного стану та стехіометрії на оптичні властивості кристалів A2O3, ABO3, A3B2C3O12 них іонами груп заліза та/чи лантана. Розроблені рекомендаціії, щодо зміни технологічних параметрів росту деяких окиснєвих монокристалів.зметою зміни їх властивостей ОКИСНЄВІ МОНОКРИСТАЛИ, САПФІР, ГРАНАТ, ТИТАНАТ СТРОНЦІЯ, СПЕКТРОСКОПІЯ ПРИМІШКОВИХ ІОНІВ. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити