Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0206U005548, 0104U009906 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження взаємозв'язку властивостей з технологіями одержання дифосфідів кадмію та диарсенідів цинку Назва етапу роботи Керівник роботи Фекешгазі Іштван Вінцейович, Дата реєстрації 30-03-2006 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження є - монокристали дифосфіду кадмію та диарсеніду цинку, з яких виготовлені дослідні зразки стабілізаторів поля випромінювання, подовжувачі тривалості імпульсів генерації лазерів та просторово-поляризаційних поділювачів потоків випромінювання без та з інтерференційними просвітлюючими покриттями на робочих поверхнях. Мета роботи - на основі вирощуваних білоруською стороною кристалів дифосфіду кадмію та диарсеніду цинку встановити зв'язок дисперсії двозаломлення з технологіями одержання монокристалів дифосфідів кадмію та диарсеніду цинку високої оптичної якості, а також підготувати науково-технічне обгрунтування можливості створення на їх основі нової продукції - просторово-поляризаційних поділювачів потоків випромінювання без та з інтерференційними просвітлюючими покриттями на робочих поверхнях. Для досягнення мети використовувались сучасні методи досліджень: поляризаційні методи дослідження оптичної якості кристалів, нелінійна оптика і лазерна спектроскопія, інтерференція світла в нерівнотовщинних багатошарових діелектричних системах. Вимірюваннями оптико-поляризаційними методами дисперсії двозаломлення монокристалів дифосфіду кадмію і диарсеніду цинку та її зв'язку із технологіями одержання. Встановлено оптимальні умови синтезу сполук із елементарних компонент та вирощування великогабаритних (до 20 мм) монокристалів високої оптичної якості, що придатні для виготовлення елементів лазерної техніки для потоків випромінювання діаметром до 15 мм. Базуючись на анізотропії сил звя'зку між площинами кристалічної гратки, розроблена методика виготовлення орієнтованих заготовок зразків із технологічних буль. Відпрацьована методика оптико-механічної обробки поверхонь зразків до 14 класу шорсткості поверхонь. Вимірюваннями пропускання зразків встановлено область їх прозорості від 2 до 12 мкм та анізотропія пропускання для напрямків поширення світла вздовж кристалографічних осей координат kа, kb і kс і напруженостей електричного поля паралельно Е||і та перпендикулярно Е^і до певної кристалографічної осі. Досліджено дисперсію показників заломлення для цих напрямків та її вплив на оптичні характеристики осаджуваних на їх поверхні інтерференційних систем. Прийнято участь в роботі 7 міжнародних конференціях, зроблено 6 доповідей, опубліковано 7 тез доповідей та 6 робіт по тематиці проекту Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити