Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U000599, 0101U006099 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження взаємозвязку процесів тунельної та термоактиваційної перезарядки центрів в перехідних шарах на міжфазових границях гетероструктур і переносу заряду в приладних структурах на їх основі Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко Володимір Сергійович, Дата реєстрації 26-01-2007 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'ект дослідженння: МОН-структури, гетероструктури "аморфний SiC/ монокристалічний S", об'ємниі та КНІ МОН-транзистори. Мета проекту: Встановлення взаємозв'язку електроних процесів в перехідних шарах SiO2/Si, SiC/Si - структур і переносу заряду в приладах на їх основі (тестових МДН - транзісторах та гетеропереходах). Метод дослідження: аналіз струмів термостимульованного звільнення заряду, аналіз вольт-амперних характеристик, аналіз статичних характеристик МОН-транзісторів, комп'ютерна апроксимація даних.Були проаналізовані механізми струмопереносу в гетероструктурах на основі аморфного SiC. Установлено домінуючі механізми проходження струму. Був розроблений метод термостімульованого зрушення гранічної напруги, що дозволив безпосередьо аналізувати вплив зарядового стану на транзісторні характеристики. Ключові слова: напівпровідник, межа розподілу кремній - двоокис кремнію, іонна імплантація, дефекти, термоактиваційни процеси, аморфний SiC, вольт-амперні характеристики, МДН - транзистор, кріогенні температури, енергія активації. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити