Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U000840, 0105U003752 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження процесів низькотемпературного формування плівок SiC з нанорозмірними елементами на основі композиційного розупорядкування в умовах осадження іонів низької енергії Назва етапу роботи Керівник роботи Пузіков Вячеслав михайлович, Дата реєстрації 13-02-2007 Організація виконавець Інститут монокристалів НТК "Інститут монокристалів" Національної академії наук України Опис етапу Розроблено та виготовлено конструкцію іонно-плазмової установки прямого осадження з магнітним прямолінійним фільтром, яка забезпечує генерацію іонно-плазмових потоків вуглецю та кремнію без мікро-й макровключень. Виявлено три області енергії в умовах прямого низькотемпературного (600 С) осадження іонів вуглицю та кремнію, які характеризуються: 1) мінімум дефектів; 2) надлишком вибитих атомів вуглецю; 3) надлишком вибитих атомів вуглецю і кремнію. Запропанований підхід є основою до оптимізації умов низькотемпературного одержання бездефектних плівок SiC та інших багатосполукових систем в умовах осадження частинок підвищених енергій Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити