Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U000853, 0106U004806 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вирощування та аналіз кристалів CdZnTe для напівпровідникових сенсорів Назва етапу роботи Керівник роботи Комар Віталій Корнійович, Дата реєстрації 13-02-2007 Організація виконавець Інститут монокристалів НТК "Інститут монокристалів" Національної академії наук України Опис етапу Отримано експериментальний кристалічний злиток, що в центральній частині складається з 5 великих блоків. Злиток має середній питомий опір 1 10 Ом см (при 300К), середнє значення струму витоку крізь зразок Cd Zn Te становить 5,5 нА при напрузі 50В, що задовольняє вимогам до спектрометричних кристалів. Вирощений кристалічний матеріал може буте використаний для виготовлення спектрометрів гамма-випромінювання із енергетичним розділенням при кімнатній темпнраткрі 17,5% для піка повного поглинання ізотопу 241 Am (59,54 кеВ). Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити