Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U002097, 0102U000269 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних властивостей полікристалічних плівок та об'ємних кристалів GaN модифікованих шляхом іонізуючого опромінення Назва етапу роботи Керівник роботи Данильченко Борис Олександрович, Дата реєстрації 15-01-2007 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу В рамках проекту виконано експериментальні дослідження в галузі фізики широкозонних напівпровідників. Об'єктом досліджень був новий перспективний кристалічний матеріал - нітрид галію GaN. В ході виконання роботи отримано нову інформацію про теплові, оптичні та електричні характеристики досліджуваних об"єктів. Досліджено температурну залежність теплопровідності монокристалів GaN, оптичні характеристики (спектри поглинання, спектри та кінетика люмінесценції) монокристалів та плівок GaN. Вивчено закономірності високопольового транспорту гарячих носіїв у гетероструктурах AlGaN/ GaN, в тому числі при гелієвих температурах . Досліджено фотопровідність гетероструктур AlGaN/ GaN при імпульсному ультрафіолетовому лазерному збудженні, виявлено швидку (субнаносекундну) компоненту фотовідгуку, запропоновано інтерпретацію спостережуваних явищ. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити