Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U002605, 0102U007066 , Науково-дослідна робота Назва роботи Cпектроскопія двопроменевого збудження напівпровідникових наноструктур Назва етапу роботи Керівник роботи Блонський Іван Васильович, Дата реєстрації 06-02-2007 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Методами фото-, термо-, тунельної компонент люмінесценції досліджено комбінований вплив квантоворозмірного фактору і фактору структурного розупорядкування на генераційні, транспортні і рекомбінаційні процеси різних структурних форм нано-Si. Виявлено два нових механізми локалізації електронних збуджень, властиві кремнієвим квантовим точкам і дротинам. Досліджена залежність ефективності оже-розсіяння від розміру і розмірності таких речовин. Розвинута модель транспорту електронних збуджень в нерегулярних по товщині кремнієвих квантових нитках, з позицій якої пояснено вперше спосотережувану немонотонність температурної залежності беккерелівського показника затухання тунельної компоненти люмінесценції. Запропонована теоретична модель довгочасової компоненти люмінесценції нано-Si. Пояснено природу просторового рзділення носіїв заряду в кремнієвих квантових точках і розмірну залежність квантового виходу випромінювання. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити