Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U002702, 0106U009379 , Науково-дослідна робота Назва роботи Багатошарові молекулярно-променеві епітаксійні структури CdxHg1-xTe з нанорозмірними шарами та оптоелектронні прилади на їх основі. Назва етапу роботи Керівник роботи Забудський Вячеслав Володимирович, Дата реєстрації 08-02-2007 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Відпрацьовано базові технологічні операції (іонна імплантація, фотолітографія, металізація і т.і.) та розроблено інструкції базових технологічних операцій по виготовленню багатоелементних приймачів на основі епітаксійних шарів HgCdTe (КРТ) вирощених методами молекулярно-променевої та рідинно-фазової епітаксії. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити