Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U002890, 0106U011961 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування та діагностика напівпро-відникових наноструктур на основі халькогенідів As, Sb, Bi, Ge Назва етапу роботи Керівник роботи Рубіш В.М., Дата реєстрації 21-02-2007 Організація виконавець Ужгородський науково-технологічний центр матеріалів оптичних носіїв інформації Інституту проблем реєстрації інформації НАН України Опис етапу Методом направленої кристалізації одержані напівпровідникові наноструктури в об’ємних стек-лах і плівках на основі халькогенідів As, Sb, Bi, Ge. Встановлені закономірності впливу хімічного складу, технологій одержання та зовнішніх чинників на формування атомної структури, фізико-хімічних, оптичних та механічних влас-тивостей багатокомпонентних систем, що пере-бувають у склоподібному, аморфному, квазі- та нанокристалічному станах. Наведені приклади практичного застосування напівпровідникових наноструктур. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити