Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0207U004275, 0106U009110 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Виготовлення перемикаючих елементів з пам'яттю

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Мозоль Петро Овсійович,

Дата реєстрації

14-02-2007

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис етапу

Проведено аналіз літературних даних в області досліджень лазерно стимульованого дефектоутворення та створення просторового потенціального рельєфу в напівпровідниках CdTe. Виявлено, що при певній дозі опромінення імпульсами рубінового лазера (hv = 1.78 еВ) наносекундної тривалості, з області фундаментального поглинання світла, на поверхні кристалів CdTe спостерігається поява плівки телуру та утворення структур мікронних розмірів. Показано, що плівка телуру має острівковий характер розподілу по поверхні кристалу і її товщина залежить від дози опромінення. Показано, що утворення плівки телуру на поверхні зразку зв'язано з випаровуванням переважно більш летучої компоненти Cd з приповерхних шарів у результаті лазерного опромінення. При цьому приповерхневий шар матеріалу збіднюється кадмієм, а на поверхні утвориться плівка аморфного телуру, яка з часом кристалізується. На основі аналізу існуючих літературних даних виявлено, що ефект перемикання, який виникає при опроміненні кристалів CdTe, може бути обумовлений специфічними властивостями напівпровідникових матеріалів зберігати збуджену світлом чи електричним полем провідність, яка перевищує рівноважну в декілька разів та зберігається протягом 10^-4-10^-6 с. Даний ефект, виявлений у більшості напівпровідників як у кристалічних так і в склоподібних, обумовлений наявністю макродефектів, які призводять до виникнення потенціальних бар'єрів певної форми. До таких дефектів відносяться, наприклад, міжкристалічні границі, дислокації, скупчення точкових дефектів, виділення сторонніх фаз у вигляді металічних чи діелектричних частинок, а також границі областей легування зразків. Розроблено технологічну карту виготовлення експериментальних зразків перемикаючих елементів з пам'яттю на основі Те-CdTe та виготовлено експериментальні зразки перемикаючих елементів з пам'яттю на основі Те-CdTe.

Опис продукції

Автори роботи

Додано в НРАТ

2020-04-02