Реєстраційний номер
0207U004636,
0104U003884
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
"Дослідження процесів генерації і трансформації радіаційних дефектів в кремнії і бінарних напівпровідниках"
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Литовченко Петро Григорович,
Дата реєстрації
12-06-2007
Організація виконавець
Інститут ядерних досліджень НАН України
Опис етапу
Знайдено, що введення германію підвищує радіаційну стійкість n-Si приблизно у 7 разів. Показано, що відпал кластерів дефектів пов'язаний з анігіляцією вакансійного типу дефектів у кластерах з міжвузловими дефектами. Показано, що опромінення гамма-квантами 60Co та електронами з Е=1 МеВ спричиняєдеградацію свічення GaP, яка обумовлена введенням безвипромінювальних рівнів радіаційних дефектів. Показано, що сонячні елементи з полі-Si зернової структури більш радіаційно стійкі до швидких нейтронів, ніж подібні елементи з монокристалічного Si.
Опис продукції
Автори роботи
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
