Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0207U004636, 0104U003884 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

"Дослідження процесів генерації і трансформації радіаційних дефектів в кремнії і бінарних напівпровідниках"

Керівник роботи

Литовченко Петро Григорович,

Дата реєстрації

12-06-2007

Організація виконавець

Інститут ядерних досліджень НАН України

Опис

Знайдено, що введення германію підвищує радіаційну стійкість n-Si приблизно у 7 разів. Показано, що відпал кластерів дефектів пов'язаний з анігіляцією вакансійного типу дефектів у кластерах з міжвузловими дефектами. Показано, що опромінення гамма-квантами 60Co та електронами з Е=1 МеВ спричиняєдеградацію свічення GaP, яка обумовлена введенням безвипромінювальних рівнів радіаційних дефектів. Показано, що сонячні елементи з полі-Si зернової структури більш радіаційно стійкі до швидких нейтронів, ніж подібні елементи з монокристалічного Si.

Опис продукції

Автори роботи