Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U005035, 0102U000087 , Науково-дослідна робота Назва роботи Багаточастинкові ефекти в гетероструктурах з квантовими ямами Назва етапу роботи Керівник роботи Тарасов Георгій Григорович, Дата реєстрації 27-02-2007 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджено умови прояву багаточастинкових ефектів в сильно легованих гетероструктурах з квантовими ямами при змінних густинах збудження, температурі та напруженості магнітного поля. Визначено енергію локалізації дірок із оптичних вимірювань. Показано, що магнітне поле стабілізує ферміївську крайову сингулярність. Магнітне поле в 30 Тл, прикладене в площині квантової ями, пригнічує міжзонну рекомбінацію і підсилює багаточастинковий екситонний перехід. Експериментально вивчено особливості міжпідзонного поглинання при низьких температурах для надграток In0.32Ga0.68P/In0.32Ga0.68As із скомпенсованим напруженням. В області 5.6 - 10.6 мкм виявлено сильне поглинання, що відповідає переходу з першої електронної підзони у другу. Це дозволило визначити розрив зони провідності 370 меВ та ефективну масу електронів 0.060m0 в квантовій ямі In0.32Ga0.68As. Показано, що в магнітному полі проявляються плазмон-фононні збудження. Досліджено канали релаксації носіїв в системі квантових точок InAs/GaAs високої густини. Здопомогою моделі рівнянь балансу описано перенос носіїв між квантовими точками різних розмірів з врахуванням зв'язку між точками. Вивчено режим насичення при високих густинах збудження фотолюмінесценції. Показано, що багаточастинкові ефекти зсувають смугу випромінювання квантових точок. Вивчено підбар'єрні стани в двошаровій системі квантових точок з слабою вертикальною кореляцією. Показано відмінності релаксації нерівноважних носіїв у системі квантових точок з додатковим обмежуючим потенціалом шару AlGaAs при збудженні фотолюмінесценції нижче бар'єра. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити