Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0207U006201, 0104U009867 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження характеристик структур метал-діелектрик-напівпровідник (Al-SiO2(a-C:H)-Si) методами наведених струмів та спектроскопії глибоких рівнів Назва етапу роботи Керівник роботи Третяк Олег Васильович, Дата реєстрації 28-03-2007 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Для визначення енергетичних параметрів глибоких рівнів в пористому кремнії (ПК) була застосована методика релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів. Отримані експериментальні дані підтверджують існування градієнтів пористості і ширини забороненої зони анодованого ПК. Була розроблена автоматизована установка для дослідження неоднорідності напівпровідникових структур методом наведених струмів. Цей метод дає можливість оцінити однорідність поверхнево-бар'єрної структури з проміжним шаром ПК. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Дослідження характеристик структур метал-діелектрик-напівпровідник (Al-SiO2(a-C:H)-Si) методами наведених струмів та спектроскопії глибоких рівнів
Керівник: Третяк Олег Васильович. Дослідження характеристик структур метал-діелектрик-напівпровідник (Al-SiO2(a-C:H)-Si) методами наведених струмів та спектроскопії глибоких рівнів. (Етап: ). Київський національний університет імені Тараса Шевченка. № 0207U006201
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку