Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U006703, 0101U006546 , Науково-дослідна робота Назва роботи Удосконалення технології напівпровідникових приладів ІЧ діапазону шляхом вивчення процесів струмо- та теплопереносу з високою розподільною здатністю у просторі та часі Назва етапу роботи Керівник роботи Малютенко В.К., Дата реєстрації 13-07-2007 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проаналізовано процес проходження струму в інжекційних мікроструктурах типу "меза" на основі сполук InAsSb, випромінюючих в інфрачервоному (ІЧ) діапазоні довжин хвиль 3-5 мкм. Виявлено три ділянки локалізації струму (current crowding), розраховано його розподіл по базі світлодіода та залежність ступеню локалізації від амплітуди і напрямку струму. Доведено, що приконтактні неоднорідності спричиняють локальний розігрів і важливі для теплообміну між структурою і радіатором, а ділянка розташована в області р-n-переходу відповідає за суттєво неоднорідний розподіл світла. За допомогою унікального обладнання - ІЧ мікроскопа з високою роздільною здатністю і швидкісної ІЧ камери - отримано картину нерівномірного розподілу світла та її динаміку, розраховано втрати світла, спровоковані ефектом current crowding, запропоновано оптимальну конструкцію приладу. В результаті оптимізації, методом рідкофазної епітаксії зі сполук InAsSbP/InAs виготовлено подвійні гетероструктури і створені світлодіоди на діапазон 3-5 мкму вигляді "мези" з розташуванням обох контактів зі сторони радіатора та вільною верхньою поверхнею для виходу світла. Світлодіоди з 300 мкм апертурою в імпульсному режимі (довжина імпульсу 50 мкс, частота повторення 25 Гц) випромінюють потужність більше 1 мВт при кімнатній температурі, що є рекордом серед аналогів. Також продемонстровано генерацію сигналу негативного контрасту відносно температури оточуючого середовища. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити