Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0207U006707, 0106U000963 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нові технології генерації терагерцового та суб-терагерцевого випромінювання з використанням нанорозмірних напівпровідникових гетеростуктур Назва етапу роботи Керівник роботи Вячеслав Олександрович Кочелап, Дата реєстрації 13-07-2007 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Виконані комплексні теоретичні та експериментальні дослідження фізичних властивостей наноструктур на основі напівпровідників різного типу при кванторозмірному обмеженні останніх. Вивчалися всі типи наноструктур: двовимірні (квантові ями і надгратки), одновимірні (квантові дроти) і нульмірні (квантові точки). Особлива увага приділена фізичним механізмам самоорганізації наноструктур, впливу розмірного квантування на енергетичний спектр елементарних і колективних збуджень (електронних, екситонних, фотонних, плазмонних, спінових та ін.), особливостям випромінювальних процесів, механізмам струмопереносу в умовах резонансного тунелювання. У дослідженнях використано широкий комплекс сучасних експериментальних методик. Відомі варіанти цих методів доповнені оригінальними розробками. Все це дозволило винайти ряд нових явищ і ефектів, більшість з яких одержали теоретичну кількісну, або принаймні якісну, інтерпритацію. крім того, теоретично передбачено та обгрунтовано ряд нових фізичних явищ які можуть мати важливе практичне значення для наноелектроніки, зокрема генерації надвисокочастотних коливань, оптимізації умов реалізації інверсної населеності носіїв заряду, сворення ефективних сенсорних систем. Отримані результати будуть корисні при створенні нових приладів з використанням низьковимірних гетероструктур для мікро- та оптоелектроніки нового покоління. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Вячеслав Олександрович Кочелап. Нові технології генерації терагерцового та суб-терагерцевого випромінювання з використанням нанорозмірних напівпровідникових гетеростуктур. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0207U006707
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15