Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0207U008360, 0105U008499 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розробка базової технології виготовлення й освоєння у виробництві ряду малошумлячих гетероструктурних (на основі AlGaAs/InGaAs) транзисторів на частоти 36; 90 ГГц" Назва етапу роботи Керівник роботи Босий Віталій Ісайович, Дата реєстрації 10-12-2007 Організація виконавець Відкрите акціонерне товариство "Науково-виробниче підприємство "Сатурн" Опис етапу В результаті виконання роботи розроблена базова технологія виготовлення ряду малошумлячих гетероструктурних (AlGaAs/InGaAs) транзисторів на частоти 36;90 ГГц, призначених для роботи в супутникових і наземних комунікаційних системах, приймальних системах прямого супутникового радіомовлення, радіоастрономії. Виготовлено дослідну партію транзисторів і проведено дослідження параметрів. Отримано транзистори з такими параметрами: І тип (36 ГГц):- мінімал. Кш - не більше 1,5дБ; -коефіцієнт підсилення по потужності -не менше 9,5дБ. ІІ тип (90 ГГц):-мінімал. Кш- не більше 4 дБ; -коефіцієнт підсилення по потужності -4-5 дБ. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
"Розробка базової технології виготовлення й освоєння у виробництві ряду малошумлячих гетероструктурних (на основі AlGaAs/InGaAs) транзисторів на частоти 36; 90 ГГц"
Керівник: Босий Віталій Ісайович. "Розробка базової технології виготовлення й освоєння у виробництві ряду малошумлячих гетероструктурних (на основі AlGaAs/InGaAs) транзисторів на частоти 36; 90 ГГц". (Етап: ). Відкрите акціонерне товариство "Науково-виробниче підприємство "Сатурн". № 0207U008360
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18


Роздрукувати цю сторінку