Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U000315, 0107U005781 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка комплексних методів оптичної і магніторезонансної діагностики опто- та спінелектронних наноструктур Si/Ge та А3В5, сформованих методами самоорганізації Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 23-01-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено метод неруйнівної діагностики наноструктур, який поєднує комплекс зондово-мікроскопічних, оптичних і радіоспектроскопічних досліджень, послідовність проведення яких залежить від специфіки досліджуваних об'єктів. Для незарощених захисним шаром масивів наноострівців на першому етапі проводиться аналіз їх морфології за допомогою скануючого атомного силового мікроскопу. При цьому визначається поверхнева щільність, розміри та форма наноострівців. Для наноструктур з одномодовим розподілом острівців за формою подальша діагностика проводиться з використанням резонансного комбінаційного розсіювання світла та фотолюмінесценції. Враховуючи зміни ширини забороненої зони наноострівців, які обумовлені просторовим обмеженням носіїв зарядів та компонентним перемішуванням, здійснюється варіювання енергії збуджуючого лазерного випромінювання з метою реалізації умов резонансного підсилення КРС. В результаті цього вдається зареєструвати сигнали КРС всього від декількох осаджених моношарів. Проведення аналізу частот фононних мод в спектрах КРС дозволяє визначити величину пружної деформації, компонентний склад та ступінь релаксації напруг в самоорганізованих наноострівців. Поєднання КРС, високороздільної рентгенівської дифрактометрії та фотолюмінесценції дозволяє і для зарощених покривним шаром наноострівців визначати вищеназвані параметри. Для багатошарових структур додатково проводиться аналіз розсіювання на згортках акустичних фононів, що дозволяє оцінити ступінь вертикальної кореляції острівців та період надграток. В процесі виконання даного проекту проведено апробацію розроблених нами методів діагностики при контролі параметрів різних типів наноструктур і на цій основі вироблено рекомендації по вдосконаленню технології їх виготовлення. Було продіагностовано 3 типи наноструктур: одношарові структури з германій-кремнієвими наноострівцями, які були сформовані при зміні температури молекулярно-променевої епітаксії від 300 до 750оС та варіюванні номінальної товщини осадженого шару германію від 3 до 15 моношарів, багатошарові InGaAs/GaAs наноструктури з числом періодів до 17; матрично-ізольовані структури з квантовими точками на основі напівпровідників A2B6. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити