Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U000396, 0106U009602 , Науково-дослідна робота Назва роботи НДР "Розроблення та впровадження технології виробництва потужних високовольтних кремнієвих надвисокочастотних p-i-n діодів з пробивною напругою 1000-2000 Вольт для перспективних радіотехнічних систем широкого призначення". Назва етапу роботи Керівник роботи Болтовець Микола Силович, Дата реєстрації 25-01-2008 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу В роботі кремнієві p-i-n діоди розроблялись на основі кремнію монокристалічного КБО-1 з питомим опором 1 кОм·см. Було розроблено комплект ескізної конструкторської та технологічної документації на 4 типономінали p-i-n діодів з товщиною бази 200 мкм, діаметрами контактів 500,1000, 2000, 2500 мкм. Конструкція діодів являє собою кремнієві меза -структури з жорсткими золотими виводами, призначенними для монтування в НВЧ інтегральні схеми. Виготовлені експериментальні зразки p-i-n діодів. Проведені комплексні дослідження кремнієвих p-i-n-діодів в інтервалі температур до 200°С. За основними параметрами (прямий опір, ємність, пробивна напруга) діоди відповідають сучасному світовому рівню. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити