Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U000922, 0107U005759 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технологій вирощування високоомних монокристалів CdTe та розчинів Cd1-xZnxTe для виготовлення детекторів іонізуючого випромінювання Назва етапу роботи Керівник роботи Томашик Василь Миколайович, Доктор хімічних наук Дата реєстрації 03-03-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу 63 с., 23 рис., 2 табл., 64 джерела. Розроблена методика синтезу однорідних по хімічному складу твердих розчинів Cd1-xZnxTe із вихідних елементів. Для виготовлення детекторів іонізуючого випромінювання розроблена методика вирощування монокристалів твердих розчинів Cd1-хZnхTe (х=0,04; 0,1; 0,15 і 0,2) направленою кристалізацією власних розплавів під високим тиском інертного газу (БВТ - метод Бріджмена під високим тиском). Модернізована установка для хімічної різки зливків та розроблена методика бездефектного розділення вирощених зливків Cd1-xZnxTe на пластини, оптимізовано операції хімічної різки та полірування пластин. Розроблено аналітичну методику визначення концентрації Zn в твердих розчинах Cd1-xZnxTe. Встановлено характер та кінетичні закономірності хімічного розчинення поверхні CdTe, CdTe:Cl і Cd1-xZnxTe. Розроблено і оптимізовано склади травильних сумішей та запропоновано оптимальні умови і режими проведення ХДП і ХМП монокристалів CdTe і твердих розчинів Cd1-xZnxTe з метою одержання високоякісної полірованої поверхні. Ключові слова: Cd1-хZnхTe, БВТ-метод, монокристали, тверді розчини, хімічна різка, хімічне полірування. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити