Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U000935, 0107U005746 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка методів лазерно-індукованого легування і формування електричних бар'єрів у кристалах CdTe для детекторів x- і -випромінювання Назва етапу роботи Керівник роботи Власенко Олесандр Іванович, Дата реєстрації 05-03-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу У ході виконання проекту було проведено теоретичні та експериментальні дослідження що стосуються розробки чутливих елементів для детекторів рентгенівського і гама випромінювання на основі діодів, виготовлених на базі високоомного напівпровідника CdTe. Вивчалися фізичні і технологічні процеси розробки бар'єрних структур, сформованих у напівізолюючих компенсованих хлором кристалах CdTe, зокрема, діоди із контактом Шотткі та з p-n переходом. Особлива увага приділялася формуванню p-n переходу у поверхневій області CdTe за допомогою імпульсного лазерного випромінювання. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити