Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U002020, 0107U007235 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нових матеріалів для високочутливих напівпровідникових детекторів випромінювання. Назва етапу роботи Керівник роботи Гнатенко Юрій Павлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 14-01-2008 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Вирощені напівізолюючі (?=106–109 Ом?см) кристали CdTe, леговані атомами V. Вперше проведено дослідження ефекту нестаціонарної фото-електрорушійної сили (голографічного струму) та встановлено мікромеханізм появи голографічного струму в CdTe:V із врахуванням реальної дефектної структури кристалу. Встановлено природу та енергетичну структуру домішкових центрів та власних дефектів в напівізолюючих кристалах CdTe:V та Cd1-хHgхTe:V. Показано, що електронні процеси в таких кристалах є швидкодіючими та відбуваються в субнаносекундному діапазоні. Встановлена природа пасток для електронів. Проведені комплексні оптичні та фотоелектричні дослідження кристалів Sn2P2S6 та твердих розчинів Pb1-xCdxI2. Запропонована схема енергетичних рівнів дефектів і зона-зонних електронних переходів в кристалах Sn2P2S6. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити