Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0208U002419, 0107U008875 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка та виготовлення тензочутливих структур для напівпровідникових інтегральних схем сенсорів тиску, здатних працювати при наднизьких температурах, а також обладнання для їх тестування. Назва етапу роботи Керівник роботи Мітін Вадим Федорович, Дата реєстрації 28-01-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджено структури Ge-GaAs при наднизьких температурах в сильних магнітних полях. Виявлено новий ефект гігантського негативного магнітоопору, здійснено його теоретичне моделювання. Розроблено тензочутливі структури Ge-GaAs для сенсорів тиску, здатних працювати при низьких температурах. Bиготовлена кріостатна система для тестування сенсорів тиску при низьких температурах. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розробка та виготовлення тензочутливих структур для напівпровідникових інтегральних схем сенсорів тиску, здатних працювати при наднизьких температурах, а також обладнання для їх тестування.
Керівник: Мітін Вадим Федорович. Розробка та виготовлення тензочутливих структур для напівпровідникових інтегральних схем сенсорів тиску, здатних працювати при наднизьких температурах, а також обладнання для їх тестування.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0208U002419
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку