Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U004587, 0108U010568 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нові високоефективні електрогіраційні матеріали на основі сегнетоелектриків-напівпровідників сімейства Sn2P2S6xSe6(1-x) для застосування в оптоелектроніці Назва етапу роботи Керівник роботи Мись Оксана Григорівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 11-12-2008 Організація виконавець Інститут фізичної оптики імені О.Г. Влоха Міністерства освіти і науки України Опис етапу Виявлено, що кристали Sn2P2S6 володіють найвищим значенням електрогіраційних коефіцієнтів серед усіх відомих електрогіраційних матеріалів. Показано, що перемикання сегнетоелектричної доменної структури при дії електричного поля, прикладеного в напрямку спонтанної поляризації, може призводити до зміни оптичної активності, яка може бути використана для переключення мод і візуалізації доменної структури. Показано, що ці кристали можуть використовуватись як ефективні матеріали для оптоелектроніки. Показано, що кристали Sn2P2S6 є ефективними магнітооптичними матеріалами, оскільки володіють дуже високим значенням сталої Верде, яке становить 0,0371 рад/Ем. На основі проведених досліджень визначено значення ефективного коефіцієнту ефекту Фарадея. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити