Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U005226, 0107U005744 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології отримання полікристалічних структур та сенсорів на основі сполук А3В5 Назва етапу роботи Керівник роботи Шутов Станіслав Вікторович, Дата реєстрації 01-04-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розглянуто основні механізми процесу тепло- та масопереносу у методі епітаксії з надтонкого шару розчину-розплаву у градієнті температури. Розроблено модель, математичний опис та комп'ютерне забезпечення опису процесів. На основі результатів моделювання встановлено основні вимоги щодо технологічних умов кристалізації та технічних засобів їх забезпечення. Перевірка моделі тепло- та масопереносу здійснена на прикладі системи Ga - GaSb, дозволила здійснити коректування технологічних режимів отримання шарів. Розроблено оригінальний метод, обладнання та технологічне оснащення для проведення експериментів по отриманню приладових структур, а також досліджень впливу технологічних чинників на властивості полікристалічних шарів. Проведення експериментальних процесів по вирощуванню шарів антимоніду галію з надтонкого шару розчину-розплаву підтвердило коректність побудованих моделей та добру узгодженість з вихідними даними результатів комп'ютерного моделювання процесів. Вдосконалене оснащення дозволило більш ретельно відтворювати технологічні параметри процесу кристалізації шарів для приладових структур сенсорів. Отримано дослідні зразки шарів GaSb із параметрами, придатними для виготовлення приладових структур термофотовольтаічних перетворювачів. Запропоновано, експериментально реалізовано та досліджено способи додаткового керування умовами кристалізації при використанні примусового охолодження підкладки потоком технологічного газу та електроепітаксії. Окремі результати експериментальних досліджень та розробок захищено Патентами України. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити