Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U005644, 0107U007759 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження та розробка техпроцесів формування мезаструктур діодів міліметрового діапазону на базі епітаксійних гетероструктур n+-n- n+ III-нітридів на сапфірі. Назва етапу роботи Керівник роботи Болтовець Микола Силович, Дата реєстрації 09-07-2008 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу В результаті виконання НДР були розроблені науково-технічні рішення та відпрацьовані техпроцеси виготовлення діодних структур на основі епітаксійних структур III-нітридів. Виготовлені та досліджені прототипи діодних структур Ганна на основі епітаксійних структур III-нітридів. Технологія виготовлення прототипів діодів Ганна базувалася на епітаксіальні структури нітрида галію типу n+-n-n+, вирощених на сапфіровій монокристалічній підкладці. Товщина шарів дорівнювала 0,3 мкм, 2,5 мкм і 2,5 мкм з концентрацією носіїв заряду 5-7·10^18 см^-3, 1·10^17 см^-3 та 5-7·10^18 см^-3 відповідно. Розроблено технологічні схеми виготовлення GaN діодів Ганна, відпрацьовані ключові технологічні процеси. Проведені комплексні дослідження характеристик діодів Ганна в інтервалі температур 77-700 К. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити