Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U005654, 0106U013107 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розвиток діелектричних систем для затворів на основі подвійних та потрійних оксидів металів з еквівалентною товщиною меншою ніж 1,0 нм для МОС технології і методи аналізу електричних характеристик Назва етапу роботи Керівник роботи Смертенко Петро Семенович, Дата реєстрації 15-07-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджено вольт-амперні характеристики МДМ структури з Y2O3 діелектричними тонкими плівками, осадженими електронно-променевим напилюванням при кімнатній температурі. Експериментальні вольт-амперні характеристики проаналізовані на основі безрозмірної чутливості a, що надає детальну інформацію про тонку поведінку кривих. Розроблено методику обробки результатів теоретичних та експериментальних досліджень I-V-характеристик МДМ та МОН структур на основі диференційного підходу. В основу методики покладено моделювання теоретичних та експериментальних характеристик і визначення аналітичних апроксимацій. Експериментально апробовано методику на прикладі моделювання вольт-амперних характеристики МДМ структури з Y2O3 діелектричними тонкими плівками, осадженими електронно-променевим напилюванням при кімнатній температурі. Зроблено оцінки щодо можливих механізмів протікання струму. Розроблено рекомендації щодо застосування методик оброблення результатів теоретичних та експериментальних досліджень I-V-характеристикМДМ та МОН структур. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити