Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U006236, 0107U005768 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології і створення варізонних датчиків ультрафіолетової і видимої радіації для метрологічних контрольно-вимірювальних засобів Назва етапу роботи Керівник роботи Павелець Сергій Юрійович, Дата реєстрації 02-07-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Мета роботи є створення фізичних, технологічних та конструкторських засад виготовлення варізонних датчиків ультрафіоллетової і видимої радіації . Розробка технології і створення високоякісних датчиків з експлуатаційними параметрами на рівні світових стандартів, які дозволять використовувати їх в якості метрологічних в контрольно-вимірювальних засобах. В завдання даного проекту входило збереження всіх позитивних якостей (абсолютної спектральної чутливості, порогових характеристик, стабильності експлуатаціїйних параметрів), які були досягнуті на ФП Cu1.8S-CdS малої площі (10 мм2 ) при створені датчиків з суттєво більшою площею ( 100 мм2 ). Разом з тим досягти покращення основної характеристики датчика збільшеної площі - зонної характеристики( рівномірний розподіл фотовідгуку по фоточутливій поверхні ФП. Вирішення перелічених задач потребувало суттєвої модернізації реактора квазізамкнутого об'єму і оптимізаціїї конструкціїї датчика з покращеною топологією верхнього і нижнього струмоз'ємних електродів. Важливість модернізації методу квазізамкнутого об'єму була пов'язана також з необхідністю розробки технолгії одержання варізоних шарів (ВШ). ВШ дозволили повною мірою виконати поставлені завдання, вирішуючі такі важливі проблеми, як зменьшення рекомбінаційних струмів в ОПЗ, а також вирішення проблеми створення омічних контактів для високоомних матеріалів : CdTe і ZnS. Крім того, розроблена технологія, яка включала розробку методик створення низькоомних приповерхневих прошарків для різних напівпровідникових матеріалів, дала можливість одержати і з'ясувати перспективність інших сполук А2В6 для створення метрологічних датчиків.А саме ZnS, як матеріалу чутливого лише в УФ ділянці спектру і , що більш важливо датчиків на основі CdTe і CdSe. Остані дозволили розширити область спектральноїчутливості ( до 720 нм ), при збережені достатньо високої чутливості в УФ ділянці спектру. Для всебічних досліджень експлуатаційних параметрів і властивостей датчиків побудовано стенд для досліджень зонної характеристики , откориговані методики дослуджень електричних і фотоелектричних характеристик. В результаті проведених технологічних робіт і дослідження властивостей метрологічних датчиків було встановлено, що найбільш перспеткивним для УФ області є ФП Cu1.8S-CdS збільшеної площини. Досліди виявили нестабільність ФП на основі теллуріда кадмія і таким чином, дозволили зробити висновок про перспективність використання ФП Cu1.8S-CdSе в якості стабільного метрологічного датчика з розширеною областтю спектральної чутливості. Основні експлуатаційні параметри УФ датчиків Cu1.8S-CdS і датчиків розширенного спектрального діапазону Cu1.8S-CdSе одержані в роботі повністю відповідають вимогам технічного завдання і знаходяться на рівні світових стандартів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити