Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U006494, 0106U000220 , Науково-дослідна робота Назва роботи Поверхневі процеси та технологія напівпровідникових структур для пристроїв ІЧ-техніки Назва етапу роботи Керівник роботи Фреїк Дмитро Михайлович, Дата реєстрації 09-12-2008 Організація виконавець Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника Опис етапу Тонкі плівки сполук AIVBVI є перспективними для створення на їх основі активних елементів мікро- і оптоелектроніки (детектори і джерела випромінювання в інфрачервоній області оптичного спектру) та термоелектричних перетворювачів енергії для температур 500-850 К. Проведені у роботі дослідження дали можливість встановити природу і загальні закономірності розсіювання носіїв струму у тонких напівпровідникових плівках халькогенідів свинцю: Вперше розділено вплив механізмів розсіювання носіїв струму в об'ємі, міжфазних і міжзеренних межах та дислокаціях невідповідностей на кінетичні явища у монокристалічних, мозаїчних і полікристалічних плівках халькогенідів свинцю. Показано, що виявлені напрямлені неоднорідності профілів електричних параметрів для свіжовирощених і відданих відпалу у вакуумі та атмосфері кисню плівок халькогенідів свинцю n- і р-типу провідності пов'язані із збагаченням пари халькогеном на початкових етапах випаровування наважки (для свіжовирощених плівок), десорбцією халькогену і дифузією його вакансій (при відпалі у вакуумі), а також з адсорбцією кисню (при відпалі в атмосфері кисню). Зазначені процеси обумовлюють утворення p-n-структур на міжфазних межах. Показано, що розсіювання на поверхні домінує в тонких моноблочних плівках аж до товщин близько 0,5 мкм, при подальшому зростанні товщини починає переважати розсіювання на дислокаціях невідповідності. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити