Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U006550, 0106U004199 , Науково-дослідна робота Назва роботи Перехідні процеси та самоорганізація при кристалізації в умовах розбіжностей кристалохімічних параметрів матеріалів Назва етапу роботи Керівник роботи Шутов Станіслав Вікторович, Дата реєстрації 10-12-2008 Організація виконавець Херсонський національний технічний університет Опис етапу Виконано комплекс експериментальних досліджень селективного росту шарів GaAs на підкладках Si з використанням методики епітаксійного латерального нарощування та методики росту в капілярних зазорах примусовим охолодженням розчину-розплаву з періодичними коливаннями температури. На основі експериментів розроблено методику отримання епітаксійних шарів GaAs на підкладках кремнію орієнтації (100), (110) та (111). Отримані експериментальні результати дозволили внести корективи в розроблені моделі острівцевого росту гетероепітаксійної плівки та умови стабільності контакту рідкої та твердої фаз при гетероепітаксії багатокомпонентних шарів на основі аналізу термодинамічної стійкості системи, які базуються на збуренні рідкої фази внаслідок часткового розчинення підкладки та релаксації цього збурення шляхом кристалізації захисного епітаксійного шару, що є рівноважним до розчину-розплаву. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити