Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U006599, 0107U009884 , Науково-дослідна робота Назва роботи НДР "Розробка методів модифікації характеристик світловипромінюючих структур на основі широкозонних сполук А2В6 для потреб оптоелектроніки і медицини" Назва етапу роботи Керівник роботи Корсунська Надія Овсіївна, Дата реєстрації 11-12-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - епітаксійні гетероструктури CdZnTe/ZnTe і CdZnSe/ZnSe з квантовими ямами (КЯ) і квантовими точками (КТ), колоїдні квантові точки CdSe в оболонці ZnS. Методи дослідження - оптичні, люмінесцентні, рентгенівська дифракція. Запропонована методика підвищення інтегральної інтенсивності люмінесценції квантово-розмірних структур в процесі росту шляхом додавання тонкого шару CdTe в CdZnTe КЯ. Показано, що залежності інтенсивності люмінесценції від температури і інтенсивності збудження в CdSe/ZnSe гетероструктурах з квантовими точками описуються моделлю незалежного захоплення (викиду) носіїв заряду в квантові точки. Вперше одержано аналітичний розв'язок системи рівнянь для цієї моделі. Показано, що приєднання біомолекул до колоїдних квантових точок CdSe приводить до блакитного зсуву максимуму їх випромінювання, що може бути покладено в основу методу реєстрації присутності іммунокомплекcів і дозволяє істотно покращити точність аналізу. Встановлений механізм ефекту. Розроблено методику підсилення змін у спектрах люмінесценції, пов'язаних з приєднанням біомолекул, шляхом низькотемпературного відпалу. Виявлено ефект фотостимульованого підсилення інтенсивності люмінесценції в колоїдних квантових точках CdSe під дією УФ опромінення і встановлений його механізм. Виявлено, що відпал зразків з надгратками CdSe/ZnSe з КТ при температурах Твідп<=250 oС приводить до збільшення інтенсивності ФЛ КТ у 3,3 рази. Запропонований метод підсилення інтенсивності люмінесценції КТ. Встановлено, що зразки з CdSe КТ характеризуються більш високою термічною стабільністю, ніж зразки з CdZnSe КЯ. Виявлено, що збільшення вмісту кадмію в КЯ приводить до зниження її деградаційної стійкості під дією опромінення gamma-квантами 60Со. Виявлено, що в усіх гетероструктурах CdZnSe/ZnSe з КЯ після опромінення gamma-квантами 60Со дозою 2х10^8 рад відбувається часткова релаксація напруг розтягу в покривних ZnSe шарах та релаксація напруг стискання в КЯ. Показано, що структури з КТ характеризуються більшою деградаційною стійкістю, ніжструктури з КЯ. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити