Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U001763, 0107U003492 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження залежності структурних та електрофізичних характеристик наногетероструктур на основі А3В5 від умов їх отримання Назва етапу роботи Керівник роботи Голяка Роман Любомирович, Дата реєстрації 04-03-2009 Організація виконавець Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Проведене дослідження швидкостей кристалізації, розмірів та густини квантових точок отриманих у режимі Странського-Крастанова на товстих (1.2-1.5 мкм) бездислокаційних шарах InGaAs, вирощених на підкладках GaAs, також проведено дослідження властивостей інжекційних лазерів (потужності випромінювання та довжини хвилі генерації) на основі таких структур. З погляду фундаментальних досліджень проект дозволяє вивчити залежність густини, латерального розміру, висоти і форми квантових точок від параметра гратки і поверхневої енергії шарів InGaAs різного складу. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити