Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U001981, 0107U009801 , Науково-дослідна робота Назва роботи Механізми формування та квантоворозмірні ефекти в системах квантових точок Ge на Si(100) та Si(111). Назва етапу роботи Керівник роботи Наумовець Антон Григорович, Дата реєстрації 03-04-2009 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Розроблено та досліджено епітаксійні гетеросистеми з вертикально інтегрованими квантовими точками Ge на Si(100). Виявлено оптимальні умови епітаксійного росту з метою одержання досконалих систем квантових точок Ge, які є досить цікавими об’єктами з точки зору перспектив для розробки нових фотоприймачів ІЧ-діапазону та низьковольтних емітерів. Дослідження польової та фотопольової емісії, а також повздовжньої фотопровідності в таких системах виявили ефекти розмірного квантування. Методом молекулярно-променевої епітаксії одержано системи нанокластерів Si та Ge на первісно аморфному шарі SiOx (х?2) та запропоновано механізми утворення таких систем. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити