Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U001992, 0107U007850 , Науково-дослідна робота Назва роботи Оптимізація теплових режимів потужних НВЧ та світловипромінюючих приладів на базі наноструктур Назва етапу роботи Керівник роботи Малютенко В.К., Дата реєстрації 13-04-2009 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджено ефект концентрування струму в багатошарових світловипромінюючих діодах видимої (InGaN/GaN) та ближньої (AlGaAs/GaAs) інфрачервоної області. Шляхом локальних вимірювань температури показано, що наслідком ефекту концентрування струму є наявність значних неоднорідностей розігріву в світлодіодах на основі InGaN/GaN квантових ям (L=460-470 нм). Сумарний вплив електричних і теплових ефектів призводить до виникнення "теплових пасток" - малих ділянок (діаметром 20 мкм) підвищеної температури в середині активної області приладів градієнт температури в яких досягає 104 °С/см. Експериментально виявлена і теоретично обґрунтована залежність ефекту концентрування струму від ширини забороненої зони активної області (довжини хвилі електролюмінесценції) планарних світлодіодів. При однаковому рівні інжекції в більш довгохвильових світлодіодах спостерігається більш неоднорідний розподіл електролюмінесценції в порівнянні з короткохвильовими. Крім того, зростання впливу безвипромінювальної рекомбінації призводить і до більшої температури розігріву довгохвильових світлодіодів. На прикладі AlGaAs/GaAs фліп-чіп мезаструктур (L=0.87-0.88 мкм) вивчений вплив ефекту концентрування струму на локальні розподіли температури розігріву в світлодіодах з 98 % внутрішнім квантовим виходом. Показано, що не дивлячись на високий внутрішній квантовий вихід і вигідну з точки зору розтікання струму двосторонню мезаструктуру, поряд з значним розігрівом (dT=50 °C) в AlGaAs/GaAs світлодіодах присутній також і значно неоднорідний розподіл температури активної області (градієнт температури >950 °С/см), який є відповідальним за передчасну деградацію приладів. Теоретично передбачено існування двох типів ефекту концентрування в мезаструктурах: контактний ефект концентрування струму, що спостерігається безпосередньо біля поверхні металічного контакту і ефект концентрування в активній області світлодіода. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити