Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0209U002069, 0107U007817 , Науково-дослідна робота Назва роботи Діагностика руйнування об'єктів мікро- та наноелектроніки під зовнішнім впливом Назва етапу роботи Керівник роботи Гермаш Людмила Павлівна, Дата реєстрації 19-01-2009 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис етапу Об'єкт дослідження - перерізи виводів електричного струму кремнієвих епітаксіально-планарних p-n-p транзисторів та високочастотних універсальних приладів мікро- і наноелектроніки товщиною близько 0,1 мкм. Мета роботи - діагностика руйнування об'єктів мікро- та наноелектроніки під зовнішнім впливом. Методи дослідження - електронно-мікроскопічний і статистичний аналіз топографії зруйнованих перерізів виводів. Визначені методи електростатичної силової мікроскопії, які можуть бути застосовані для виконання робіт по виявленню дефектів і мікротріщин зондом атомно-силового мікроскопу. Отримані мікрофотографії локальних дефектів і мікротрещін на зразках після зовнішнього впливу коливань температур, тиску і вібрації, характерних для експлуатації приладів, що містять гетероструктури різної природи. Визначені основні електрофізичні властивості шарів пористих дефектів кремнію в структурах кремнієва підкладка-кремній з шаром пористих дефектів, який може бути напівпровідником, створеним хімічним та електрохімічним протравленням. Проведена діагностика руйнування перерізів кремнієвих епітаксіально-планарних p-n-p транзисторів. Проведений системний аналіз методів атомно-силової мікроскопії щодо можливостей мікродослідження топографії зруйнованих перерізів виводів електричного струму кремнієвих епітаксіально-планарних p-n-p транзисторів та високочастотних універсальних приладів товщиною близько 0,1 мкм, які перебувають під впливом водневої корозії. Розроблені рекомендації з діагностики руйнування перерізів виводів електричного струму об'єктів мікро- та наноелектроніки під зовнішнім впливом. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження - розробка нових методів діагностики приладів нанофізики та наноелектроніки, зокрема, високошвидкісних методів, стабільних в умовах різних температур, тиску та інших зовнішніх факторів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Гермаш Людмила Павлівна. Діагностика руйнування об'єктів мікро- та наноелектроніки під зовнішнім впливом. (Етап: ). Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського". № 0209U002069
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21