Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0209U002129, 0106U006767 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізичних принципів і технології створення ІЧ приймачів на основі гетероструктур кадмій-ртуть-телур та діагностичних систем нового покоління. Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 20-01-2009 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведено дослідження впливу ультразвукової обробки і гамма-опромінення на еоектрофізичні характеристики гик-фотодіодів і схем прочитування інформації. Встановлено, що після УЗО плівок КРТ спостерігається зміна досліджуваних параметрів залишкового характеру, що акустично стимулює, а саме зменшення рухливості і збільшення електронного вкладу в провідність і також конвертація типа провідності напівпровідника p n. Розроблений Стенд, який в автоматичному або напівавтоматичному режимі дозволяє проводити реєстрацію амплітуди сигналу всіх вічок ROIC, вимір шумів ROIC, вимір нелінійності передавальної характеристики заряд-напруга ROIC, вимір динамічного діапазону ROIC, вимір розкиду порогової напруги ROIC. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розробка фізичних принципів і технології створення ІЧ приймачів на основі гетероструктур кадмій-ртуть-телур та діагностичних систем нового покоління.
Керівник: Сизов Федір Федорович. Розробка фізичних принципів і технології створення ІЧ приймачів на основі гетероструктур кадмій-ртуть-телур та діагностичних систем нового покоління.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0209U002129
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16


Роздрукувати цю сторінку