Знайдено документів: 1
Реєстраційний номер

0209U002129, 0106U006767 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Розробка фізичних принципів і технології створення ІЧ приймачів на основі гетероструктур кадмій-ртуть-телур та діагностичних систем нового покоління.

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук

Дата реєстрації

20-01-2009

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис етапу

Проведено дослідження впливу ультразвукової обробки і гамма-опромінення на еоектрофізичні характеристики гик-фотодіодів і схем прочитування інформації. Встановлено, що після УЗО плівок КРТ спостерігається зміна досліджуваних параметрів залишкового характеру, що акустично стимулює, а саме зменшення рухливості і збільшення електронного вкладу в провідність і також конвертація типа провідності напівпровідника p n. Розроблений Стенд, який в автоматичному або напівавтоматичному режимі дозволяє проводити реєстрацію амплітуди сигналу всіх вічок ROIC, вимір шумів ROIC, вимір нелінійності передавальної характеристики заряд-напруга ROIC, вимір динамічного діапазону ROIC, вимір розкиду порогової напруги ROIC.

Опис продукції

Автори роботи

Додано в НРАТ

2020-04-02

НДДКР ОК
Розробка фізичних принципів і технології створення ІЧ приймачів на основі гетероструктур кадмій-ртуть-телур та діагностичних систем нового покоління.
Керівник: Сизов Федір Федорович. Розробка фізичних принципів і технології створення ІЧ приймачів на основі гетероструктур кадмій-ртуть-телур та діагностичних систем нового покоління.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0209U002129
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2025-06-01


Роздрукувати цю сторінку